高通公司的Snapdragon 820芯片组终于完全揭示了
高通公司自3月以来一直滴水喂养我们有关Spangragon 820芯片组的信息。今天，虽然它会谢天谢地决定最终完全揭示SoC的时间。这显然意味着我们“在实际运输设备中，我们更接近地看到Snapdragon 820，即使公司坚持认为在2016年之前赢得了”T发生“。
当您所知，Snapdragon 820标志着高通公司的返回定制设计的CPU内核，它已经完成了很多事情，而是选择不使用Snapdragon 810 - 它只是使用ARM设计。
Snapdragon 820配有四核CPU，具有64位Kryo核心，可以在高达2.2 GHz时钟。据说CPU在Snapdragon 810中具有两倍的性能，这对于一代飞跃是一个壮举。谈到“效率”时引用了相同的改进，这使我们认为与其前身相比，S820将具有更好的电池寿命。由于新的六角形680 DSP，这显然也会发生。
在图形方面，使用adreno 530 GPU，它已经在八月进行了详细。与从S810的adreno 430相比，它将提高40％的图形性能，计算能力和电源使用。
在连接性时，由于其X12 LTE调制解调器，S820支持Cat.12 LTE下载（具有600Mbps峰值）和Cat.13上传（具有150Mbps峰值），下载的三载波聚合和两个载波聚合。在支持技术方面，LTE的FDD和TDD，DB-DC-HSDPA，DC-HSUPA，TD-SCDMA，EV-DO和CDMA 1x以及GSM / EDGE。LTE / Wi-Fi链路聚合也是在LTE-U，LTE广播，双SIM，VOLTE和Wi-Fi调用的支持。
芯片的Wi-Fi部分支持2x2 Mu-MIMO 802.11ac连接，这是当前可用的最快选项。当然，您仍然需要一个带有Mu-MIMO支持的无线路由器，并且还有很多人，但你确实可以获得一些未来的校样，即确定。
S820支持4K显示屏，通过新的14位双ISP，最多可容纳28MP的摄像头。芯片组还适用于UFS 2.0或EMMC 5.1闪存存储，LPDDR4 1866MHz双通道内存，USB 3.0或2.0和NFC。Qualcomm快速充电3.0比传统充电快四倍，比快速充电快38％。
Snapdragon 820将在14nm FinFET过程中制造，如前所述。您应该显然期望在明年的Android旗舰智能手机中大多数（如果不是全部）内部看到这款芯片。
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